碳化硅(SiC)材料的应用和市场前景
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碳化硅（SiC）在新能源汽车800V高压平台渗透率快速提升的同时，正加速导入光伏储能、AI数据中心等新兴领域，推动国产衬底、器件厂商产能与技术同步突破。衬底尺寸向8英寸升级带动成本持续下降，国产供应链在多个环节实现规模化量产，行业竞争格局正经历重塑。
国内碳化硅衬底龙头，已实现8英寸导电型衬底的大规模量产，并率先推出12英寸全系列衬底产品。其8英寸衬底在全球导电型市场中占据领先份额，产品已进入国内外主流器件厂商供应链，是行业尺寸升级与成本下降的核心推动者。
专注于6英寸至8英寸碳化硅衬底片的研发与生产，在8英寸导电型及半绝缘型晶体生长技术上取得关键突破，晶体良率与缺陷控制达到业内第一梯队水平。公司合肥基地已具备规模化长晶产能，为后续成本优化与市场放量奠定基础。
碳化硅长晶与加工设备主要供应商，同时布局衬底材料业务。公司已成功研发8英寸N型碳化硅晶体，其碳化硅外延设备也已形成销售，覆盖从晶体生长到切片、抛光的全链条技术，服务于下游衬底制造环节的产能扩张。
采用IDM模式进行全产业链垂直整合，已完成650V-2000V全系列SiC MOSFET产品布局。公司与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目已实现通线，芯片产品进入客户验证阶段，在车规级与工业级市场同步推进。
主营功率半导体模块，自建的6英寸SiC芯片产线已随量产车型快速爬坡。公司推出了覆盖750V至1500V多个电压等级的第二代SiC MOSFET芯片平台，并开发了适用于光储行业的1400V芯片，模块良率达到国际领先水平。
IDM功率半导体企业，其6英寸SiC功率器件芯片生产线已形成月产1万片的能力。公司已完成第Ⅳ代SiC芯片研发并送样客户评测，同时积极推进8英寸SiC芯片产线建设，产品覆盖汽车、新能源及工业等多领域需求。
国内重要的特色工艺晶圆代工厂，拥有国内首条实现批量量产的8英寸SiC产线。其SiC MOSFET主驱技术产品已累计装车超百万台，并发布新一代碳化硅技术平台，重点覆盖新能源汽车主驱与AI数据中心电源两大增量市场。
通过旗下安世半导体切入车规级碳化硅器件领域，推出了1200V SiC MOSFET及肖特基二极管产品。其车规级MOSFET具备出色的温度稳定性与开关速度，专为满足新能源汽车电驱、车载充电等高压、高效应用场景而设计。
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