内存芯片短缺的情况似乎可能会持续到 2027 年左右，美国和韩国的主要供应商提高 DRAM 产量的速度只能满足大约 60% 的需求。

中东地区的动荡局势也推高了电力和原材料成本，进一步加剧了生产前景的不确定性。

全球领先的存储芯片制造商三星电子计划于 2026 年在其位于韩国平泽的园区内投产第四家芯片制造厂。但全面量产要到 2027 年或更晚才会开始。

该工厂还将生产用于计算的逻辑芯片，这限制了其提高存储器产量的能力。

第五座晶圆厂正在平泽建设中。该厂预计将专注于生产先进的高带宽内存（HBM），这是一种用于人工智能半导体的高性能动态随机存取存储器（DRAM）。预计该厂要到2028年或更晚才能投产。

三星存储器业务负责人金在俊 (Kim Jae-june) 在 1 月份表示，整个行业的生产规模都受到限制，2026 年和 2027 年的供应增长将受到限制。

全球第二大存储器制造商韩国SK海力士于今年2月在清州市投产了一座HBM晶圆厂。这是三大存储器供应商（包括美国美光科技）中唯一一家增产的企业，这将有助于提升2026年的供应量。

SK海力士正在加快首尔附近龙仁市工厂的建设，目标是在2027年2月完工——比原计划提前三个月。

SK集团董事长崔泰元在3月中旬表示，人工智能存储器的供应限制可能会持续到2030年，他指出晶圆短缺以及短期内大幅提高产量存在实际障碍。

美光计划于 2027 年在美国爱达荷州和新加坡开始生产 HBM 芯片。该公司将于 5 月在日本广岛县开始建设晶圆厂，目标是在 2028 年开始量产。

今年1月，美光决定从力芯半导体制造股份有限公司收购位于台湾西北部的一家生产工厂。该台湾工厂的产品预计将于2027年下半年开始上市。

三星、SK海力士和美光三家公司合计占据了全球DRAM市场约90%的份额。它们基本上是仅有的几家能够生产HBM芯片的公司。

近年来，他们优先发展HBM（高密度内存）。用于个人电脑和智能手机的通用内存的增产计划被推迟，导致从2025年秋季开始出现供应短缺。预计2026年1月至3月的内存价格将比上一季度上涨约90%。

香港的 Counterpoint Research 估计，要解决内存短缺问题，到 2027 年，整个行业的年产量需要增长 12%，但目前的计划仅相当于增长 7.5%。

Counterpoint 研究主管黄明生表示，供需关系要到 2028 年才能恢复正常。

随着人工智能相关需求的增长，新增产能投产后供需状况能否很快缓解仍不明朗。即使是最先进的存储器工厂投产，提高生产良率也需要时间。

大约80%到90%的内存芯片用于个人电脑、智能手机和服务器，其余的则用于汽车、工业设备和其他产品。美国市场研究公司IDC报告称，预计到2026年智能手机销量将下降13%。

目前，内存成本约占低价智能手机制造成本的20%，但预计到2026年中期，这一比例将接近40%。随着盈利能力下降，智能手机制造商可能会缩减产量。据报道，汽车零部件制造商也面临着内存供应短缺的问题。

通用存储器的技术差异化程度不高，供应过剩时价格可能暴跌。2023年，随着新冠疫情期间个人电脑和智能手机需求激增的消退，市场出现下滑。日本NAND闪存制造商铠侠(Kioxia)录得史上最大亏损。美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)也出现净亏损。

在日本，铠侠正在考虑建设第三家生产工厂，但尚未公布具体时间表。

“我们将继续根据市场增长情况进行有纪律的资本投资，”总裁太田博夫表示。

野村重磅看多存储芯片：三重超级周期至少持续至2027

日本金融巨头野村证券发布最新一份存储芯片行业重磅研报，重申其对全球存储产业的核心判断：DRAM、NAND与HBM将进入三重超级周期，且这一周期至少持续至2027年结束。

DRAM、NAND和HBM三大品类同时进入历史性高景气期。这一判断与花旗集团、摩根士丹利、美国银行的同期看法高度一致，共同构成华尔街投行对存储行业的超强共识。

野村证券对存储芯片市场未来三年的规模预测，是这份研报中最具冲击力的数据。野村预测全球存储市场规模将在2026年同比大涨98%接近翻倍至4450亿美元，2027年进一步扩张至5900亿美元。

这一预测的底层假设是：2026年DRAM和NAND的需求将分别增长30%，HBM的需求增幅高达63%；在供应受限的背景下，DRAM和NAND的平均售价将分别跃升46%和65%，推动存储芯片制造商的营业利润率回归历史高位。

这一规模预测远超此前业内大多数机构的判断。

回顾2024年全球存储芯片市场规模约1400亿美元的基数，4450亿美元意味着仅两年时间内市场规模将扩张超过3倍。

这种增长速度在全球半导体行业历史上几乎没有先例，上一轮存储超级周期2017至2018年的整体市场规模峰值约1700亿美元，本轮周期的高点预计将是上一轮的3至4倍。

本轮超级周期的核心叙事正在从HBM单人独舞升级为HBM+大宗商品风格DRAM+企业级SSD/NAND的三条硬核叙事并行。

野村强调三大存储芯片领军者的产品结构具有可切换特性，这意味着需求周期更加耐久。当大宗商品DRAM盈利快速改善时，厂商不必在HBM上被动接单，而能按边际利润弹性地在HBM、大宗商品DRAM、NAND之间灵活调配资源。

这种产品组合的可切换性，在产业链层面等价于提升了供给端的纪律性和议价能力，存储厂商不再受制于单一产品周期波动，而是能够通过产品组合管理来平滑盈利曲线。

这一观点的产业含义深远。过去市场对存储股的估值溢价主要建立在HBM单一题材上，投资者愿意为HBM高利润率支付额外的成长性溢价，但对通用DRAM和NAND仍维持周期股的低估值倍数。