英特尔与软银子公司SAIMEMORY共同开发的ZAM（Z字形存储器）项目已获得日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的重大支持。政府补贴将加速该项目开发，以解决AI和高性能计算领域内存短缺的关键市场制约因素。

项目背景与支持方

ZAM项目于今年2月首次启动，由英特尔与软银合作开发。此次被NEDO选中，标志着该项目进入日本政府的5G后基础设施增强研发项目。支持方包括软银、富士通、理研（RIKEN）和日本开发银行，以及通过NEDO提供的政府支持。

英特尔株式会社社长大野诚表示：“多年来致力于验证ZAM背后的科学原理，从美国能源部国家实验室到我们的下一代DRAM键合计划。相信这项奖项将加速ZAM技术的全球部署，并加强美日之间的技术合作。”

ZAM技术规格

ZAM旨在成为现有AI存储器技术的潜在下一代替代方案，是一种节能型HBM（高带宽存储器）。与传统HBM相比：

• 功耗降低40-50%

• 单芯片容量高达512 GB

• 简化设计以方便制造

• 采用垂直内存架构和“无线”互连（非接触式连接），改善热特性

每个Z字形内存堆叠层由紧密堆叠的DRAM IC组成，每个IC通过Z字形互连连接。每个堆叠层通过基片下方的EMIB连接到主计算芯片。

为何需要ZAM

现代AI工作负载需要处理器和内存之间巨大的数据吞吐量。虽然GPU发展迅速，但内存系统难以跟上步伐。当前的HBM虽然能提供高速，但存在权衡：制造复杂昂贵、依赖精密的芯片堆叠和键合技术、以及少数供应商主导的有限供应。

SAIMEMORY声称，与传统HBM相比，该设计可提供更高的有效密度、更大的带宽和约40%的功耗降低。

时间线

NEDO支持的计划预计运行约3.5年，SAIMEMORY计划在2027财年前投资约80亿日元（约500万美元）开发工作原型。长期目标是到2029年左右建立大规模生产。

这意味着ZAM属于下一代内存周期，而非当前HBM部署的直接替代品。

历史意义

ZAM的推出将是英特尔数十年来推出的首款内存产品。英特尔早期曾是内存制造行业的巨头，但最终被日本厂商挤出了市场，而如今，日本企业正在助力ZAM的问世。NEDO的支持也表明日本政府有意在AI需求飙升之际重新进入芯片和半导体市场（该市场在被台湾和韩国制造商取代之前曾由日本主导）。