根据国际研究机构于近日发布的预测，2035年全球功率半导体市场规模将达到约590亿美元，与2025年相比增长95.7%，接近翻倍。预计下一代功率半导体方面，碳化硅（SiC）功率模块市场将达到约150亿美元，增长至2025年的5.3倍；氮化镓（GaN）功率半导体市场将达到约25亿美元，增长至5.4倍。

该机构本次调查了全球市场中17种功率半导体、20种功率半导体组成部件以及19种功率半导体制造设备（调查期间为2025年11月至2026年2月），并将调查结果汇总于《2026年版 下一代功率器件相关市场的现状与未来展望》。

全球功率半导体市场

预计2035年全球功率半导体市场规模将达到约590亿美元。其中，硅（Si）功率半导体约占389亿美元，下一代功率半导体约占202亿美元。2025年功率半导体市场规模约为302亿美元，其中硅功率半导体约为259亿美元，下一代功率半导体约为43亿美元。可以看出，未来10年，下一代功率半导体将实现大幅增长。

据该机构分析，2025年，由于电子设备制造商等持续推进库存调整，民生设备及信息通信设备的需求增加，硅功率半导体市场得以增长。另一方面，受电动汽车（EV）市场停滞影响，欧美及日本的功率半导体制造商受到了较大冲击。

预计价格竞争将激化的SiC

在下一代功率半导体中，首先预测SiC功率模块将从2025年的约28亿美元增长至2035年的约150亿美元。其在EV牵引逆变器中的需求较高，预计未来在EV中的采用率将继续上升。预测到2035年，约70%的EV销量将搭载使用SiC的牵引逆变器。同时，在电气化铁路车辆和能源领域，大容量储能系统（ESS）及光伏发电系统的功率调节器的采用将大幅扩大。

另一方面，随着中国制造商的新进入，预计价格竞争将激化。

在汽车和服务器领域不断扩展的GaN

预计GaN功率半导体将从2025年的约4.7亿美元增长至2035年的约25亿美元。未来，除了在车载充电器、LiDAR、服务器机架电源等领域得到应用外，还预期在人形机器人和无人机等领域的需求将增加。

市场开始形成的氧化镓

氧化镓功率半导体在2025年的市场规模极小，但预测到2035年将增长至约1.2亿美元。

氧化镓功率半导体主要分为用于高速整流二极管（肖特基势垒二极管，SBD）和用于高速开关晶体管（FET）两种。FLOSFIA公司于2025年12月完成了4英寸氧化镓晶圆制造技术的实证，并宣布已确认使用试制SBD改善了产品可靠性。

该机构认为，从2027年左右开始，将面向白色家电、服务器机架电源等使用的耐压600V SBD启动量产，市场将正式启动。该机构同时指出，虽然随着SiC功率半导体的低成本化，氧化镓功率半导体的成本优势正在减弱，但由于其高耐压等优点，预计一旦量产开始，采用率将会增加。

到2030年左右，预计面向比SBD需求更大的工业领域和能源领域的FET也将开始量产。将从大型太阳能电站的功率调节器和超大功率充电器开始采用，未来预计也将在汽车和车载电气设备领域得到应用。

功率半导体制造设备/组成部件的全球市场

关于晶圆、光刻胶、焊料、封装材料、接合材料等功率半导体的组成部件，受功率半导体市场整体低迷影响，市场增长放缓。其中，硅晶圆同比微增；前道工序材料对中国销售坚挺，但欧美需求减少；后道工序材料方面，汽车/车载电气设备用途表现不佳。预计2026年以后，随着功率半导体需求恢复，市场将扩大。预计该领域市场规模2025年约为48亿美元，2029年将达到约80亿美元，2035年将增长至约145亿美元。

预计全球功率半导体制造设备市场将从2025年的约54亿美元增长至2035年的约110亿美元，达到2倍左右。2025年，受EV市场低迷导致汽车相关设备投资减少，叠加截至2024年过度投资的反作用影响，市场大幅缩小。预计2026年以后，此前被推迟的设备投资将重新启动，以前道工序设备为中心将转向恢复基调。随着面向SiC功率半导体8英寸生产线的设备投资，以及汽车/车载电气设备领域的检查/测试装置、芯片外观检查装置等的采用增加，预计市场将持续扩大至2035年。