存储芯片概念爆发大涨!卖方市场格局年内难改,超级周期延续至2028?


存储芯片概念爆发大涨!卖方市场格局年内难改,超级周期延续至2028?

5月11日,A股市场迎来强势上行,沪指盘中突破4200点,创下2015年7月以来新高,存储芯片板块更是成为全场最亮主线,掀起集体涨停潮 。同有科技涨超19%,普冉股份、澜起科技、江波龙涨幅超10%,佰维存储、朗科科技、大普微等全线跟涨,板块赚钱效应拉满。

一、全球联动暴涨,存储龙头集体创历史新高

不止A股,全球存储产业链同步狂欢。日韩股市开盘齐涨,韩国KOSPI指数盘中最高涨至7816点,续创历史新高 。半导体概念股领涨,SK海力士股价涨幅扩大至12%,总市值达9000亿美元;三星电子涨超6%,股价同样刷新历史纪录,全球存储板块迎来史诗级行情 。

本轮大涨最直接导火索,是国际存储三巨头(三星、SK海力士、美光)近期交出远超预期的财报,业绩爆发直接验证行业高景气,彻底点燃市场做多情绪 。

二、大涨核心逻辑:AI需求爆炸+供给刚性,供需缺口持续扩大

1. 需求端:AI算力基建爆发,存储需求彻底重构

本轮行情绝非传统消费电子周期反弹,而是AI算力革命驱动的“超级周期”。TrendForce数据显示,2026年全球70%存储产能将被数据中心消耗,Meta、谷歌、微软等科技巨头疯狂加码AI资本开支,2026年全球超大规模云计算商资本开支预计超8000亿美元 。

AI服务器、大模型训练、超算中心对高容量、高带宽存储需求呈几何级增长,企业级SSD、HBM(高带宽内存)“一芯难求”,部分订单已锁定至2028年,需求端持续狂飙。

2. 供给端:三大巨头控产,产能倾斜高端,新增产能近乎为零

全球存储市场由三星、SK海力士、美光垄断(占全球95%以上份额),自2025年起,三大巨头主动削减普通DRAM、NAND产能,将核心资源全面倾斜至HBM、DDR5等高毛利AI高端存储赛道。

HBM毛利是普通内存数倍,产能已被英伟达、AMD全部包圆。同时,存储晶圆厂建设周期长达2-3年,2023-2024年行业低谷期资本开支收缩,导致2026-2027年新增产能严重不足,行业库存降至仅4周出货量,跌破历史安全线,供需缺口持续扩大。

三、卖方市场格局年内难改,超级周期或延续至2028年

行业分析师普遍认为,本轮存储“超级周期”持续性将大幅超出预期 。IDC中国研究副总裁周震刚判断,存储涨价周期预计跨越2026年,可能延续至2027-2028年 。

核心原因在于,原厂产能爬坡需要12-18个月,当前供需缺口短期内难以弥合,存储芯片领域的“卖方市场”格局至少在2026年内难以改变 。TrendForce预测,2026年二季度通用型DRAM合约价格环比将再涨58%-63%,NAND闪存环比上涨70%-75%,价格持续上行将不断增厚企业利润 。

四、A股投资机会:三类企业充分受益

1. 存储模组厂:江波龙、佰维存储、朗科科技等,低价囤货锁定成本,芯片涨价直接放大利润,一季度毛利率普遍提升5-8个百分点。

2. 主控与芯片设计:澜起科技、普冉股份、大普微等,深度绑定AI数据中心需求,订单排至四季度,充分受益行业高景气。

3. 存储设备与服务:同有科技等,分布式存储系统适配AI算力需求,直接承接互联网巨头智算中心招标红利。

结语

存储芯片已成为AI时代的“战略石油”,供需失衡的硬逻辑下,本轮超级周期远未结束。2026年,存储芯片行业将持续处于卖方市场,价格上行、业绩爆发、估值修复三重共振,板块行情有望贯穿全年。