一、过去一周存储市场主要行情

1、DRAM（DDR4/DDR5/DDR3）：原厂合约价强势上行，Q2环比涨幅达58%–63%；DDR5现货高位震荡，16Gb eTT报价周涨0.9%，整体价位坚挺；DDR3小容量颗粒询单量上涨、价格持续走高；DDR4品牌颗粒小幅涨价，但终端渠道成交整体偏弱。

2、NAND Flash：Q2合约价大幅拉升，环比大涨70%–75%；现货市场整体观望情绪浓厚，仅低位小容量规格有零星成交；原厂产能、货源优先供给AI服务器及企业级市场，消费级Flash货源持续紧张。

3、eMMC：市场整体需求动能一般，成交集中在4G/8G低容量刚需规格，价格稳中有微涨；16G及以上高端eMMC型号缺货问题突出，报价持续偏强。

4、内存条（模组）：消费级DDR5笔记本内存条价位高位稳定，波动较小；DDR4渠道模组小幅阴跌，部分囤货商抛货回笼资金，存在价格倒挂现象；企业级、服务器级内存条依托长协订单锁定，价格坚挺无波动。

5、整体市场特征：上下游行情分化明显，上游原厂合约价持续暴涨，下游消费级现货成交清淡；AI算力需求持续挤压消费级存储产能，DRAM、NAND供需缺口持续扩大，行业涨价趋势确立。

二、未来1~2周影响存储市场主要因素或事件

1、三星罢工事件催化：5月21日起三星开启大规模长期罢工，覆盖存储核心厂区，或将导致全球DRAM供给缩减3%–4%、NAND供给缩减2%–3%，进一步加剧行业缺货、涨价预期。

2、原厂产能持续倾斜：三星、海力士、美光持续将70%以上先进产能投向HBM、高端DDR5、企业级存储，消费类存储产能挤压现状无缓解。

3、AI服务器需求持续放量：单台AI服务器存储用量远超传统服务器，数据中心长协锁单密集，持续抢占通用存储货源，收紧现货供给。

4、渠道备货周期开启：5月中下旬进入行业传统备货窗口期，代理商补库需求逐步释放，有望带动现货市场成交回暖。

5、现货短期情绪扰动：终端消费市场观望情绪仍存，部分渠道商户低价抛货回笼资金，短期小幅压制现货涨价幅度。

6、国产产能补充：长鑫存储等国产厂商持续扩产，中低端存储颗粒供给稳步增加，小幅缓解低端规格供货压力。

三、未来1~2周存储市场行情走势研判

1、DRAM颗粒：原厂合约价延续强势上涨趋势；DDR5现货高位企稳、小幅上行，DDR3小容量持续涨价；DDR4渠道现货止跌趋稳，成交逐步回暖。

2、NAND Flash：合约价维持高涨幅态势；现货市场低位小容量规格微涨，高端型号缺货加剧，报价持续上行。

3、eMMC：4G/8G刚需低容量规格稳中有升，16G+高端大容量型号缺货延续，报价持续走高。

4、内存模组：服务器、企业级内存条价格持续走强；消费级DDR5笔记本条价位坚挺、小幅涨价；DDR4模组结束阴跌，行情逐步回暖。

5、整体行情判断：短期现货小幅波动不改整体涨价趋势，三星罢工或将加速行情上行；AI驱动的存储供需紧缺格局持续，行业整体处于上行涨价周期，无大幅回落空间。