一、核心投资逻辑总览

SiC 行业已从车规单一驱动转向AI + 车规双轮驱动，2026 年成为行业反转元年。AI 带来的三大新应用（AI 电源、先进封装中介层、AR 眼镜光波导）市场空间远超传统车规市场，预计 2030 年全球 SiC 衬底总市场规模将突破2000 亿元，较 2025 年的 85 亿元增长超 23 倍。SiC 衬底与设备环节具备最强议价能力和业绩弹性，是核心投资方向。

二、行业景气度反转信号（2026 年最新）

1. 业绩与订单全面改善

• 设备端：晶升股份 2025 年底起新增订单逐步恢复，2026 年碳化硅设备订单呈现好转趋势，近期批量交付 12 英寸长晶设备样机。

• 衬底端：天岳先进 2026 年 Q1 归母净利润环比改善 71%，毛利率上升 25 个百分点；导电型衬底全球市占率达 27.6%（全球第一），8 英寸产品市占率 51.3%。

• 器件端：Wolfspeed 2026 财年 Q3 AI 数据中心业务环比增长 30%；安森美 AI 数据中心 SiC 收入环比增长超 30%，预计 2026 年该业务同比翻倍；X-FAB 2026 年 Q1 SiC 晶圆出货量同比增长 195%。

2. 全球头部企业加速布局

• 富士康供应链金奖中 SiC 企业占 3 席（康舒、意法、天岳先进），为获奖最多细分行业。

• 博世计划将 SiC 芯片产能扩大至 9 位数规模（约 5 亿颗 / 年），较过去 5 年平均产能增长 40 倍。

• 三星电子重启 8 英寸 SiC 生产线建设，与设备商深入磋商导入规模。

三、三大 AI 驱动应用市场深度分析

（一）AI 电源：行业反转核心驱动力

1. 需求爆发背景

英伟达主导800V HVDC 高压直流供电架构，要求 2026 年起所有适配 GB300 系列的 AI 智算中心必须采用 \\ 固态变压器（SST）\\ 实现 10kV 交流至 800V 直流直接变换。传统 54V 架构无法支撑单机柜 1MW + 的功率需求，SiC 是 SST 的核心材料。

2. SiC 基 SST 的核心优势

指标	传统工频变压器	SiC 基量产级 SST	提升幅度
体积重量	20 吨级基准	缩减至 1/4-1/6	功率密度提升 4 倍
转换效率	92%-94%	最高 98.8%	全链路损耗降低 70%
空载损耗	基准	降低 95% 以上	年能效增益超 4%
架构适配	需多级整流逆变	10kV 直转 800V 直流	省去 3 级转换，链路成本降 40%

3. 产业链落地进展

• 台达、美团、秦淮数据联合发布全球首个算力中心 SST 系统，已落地怀来数据中心，单柜输出 1MW。

• 麦格米特、阳光电源、金盘科技、四方股份等国内企业已完成 SST 样机开发，2026 年起逐步交付。

• 特斯拉前高管创立的 Heron Power 融资 1.4 亿美元，建设年产能 40GW 的 SiC 固态变压器工厂，2027 年初试生产。

4. 市场规模测算

• 2025 年全球 SiC 衬底市场规模约 85 亿元，主要来自车规市场（渗透率不足 5%）。

• 预计 2030 年车规 SiC 渗透率提升至 20%，对应衬底市场 340 亿元；AI 电源占比 50%，对应衬底市场 340 亿元。

• 整体电源市场 SiC 衬底需求 2030 年接近 700 亿元，较 2025 年增长近 8 倍。

5. 关键催化剂：8 英寸 FAB 线大扩产

2025 年 9 月至 2026 年 1 月，全球宣布新增 8 英寸 SiC 产线产能达243.4 万片 / 年，是 2025 年全球 8 英寸衬底总产量（不足 40 万片）的 6 倍以上。主要扩产企业包括：

• 安意法（三安 + 意法）：52 万片 / 年

• 士兰微：72 万片 / 年

• 意法半导体：72 万片 / 年

• 时代电气：36 万片 / 年

（二）先进封装中介层：SiC 最大单一应用市场

1. 技术必然性

AI 芯片功率呈指数级增长，2027 年 Rubin Ultra 功耗将达 3600W，2031 年 Post-Feynman Ultra 将达 9000W。传统硅中介层热导率仅 130W/m・K，已无法满足散热需求；SiC 热导率达 490W/m・K（硅的 3.8 倍），同时具备更高的结构强度，可解决大尺寸中介层开裂、翘曲问题。

2. 产业链最新进展（2026 年更新）

• 台积电已向部分企业提出明确的 12 英寸 SiC 中介层衬底需求，2026 年开启交付，2027 年需求翻倍增长。

• 多家企业已送样验证：天岳先进配合全球头部客户推进应用；晶盛机电 12 英寸中试线通线并送样；南砂晶圆 12 英寸衬底被头部 AI 芯片封装企业采用；环球晶、永泉晶圆已进入送样或量产阶段。

3. 市场规模测算

• CoWoS 产能 2024-2027 年复合增长率 73%，2027 年达 200 万片 / 年，2030 年按 35% 复合增长率推算达 492 万片 / 年。

• 按 75% 的 SiC 中介层替换率、远期 12 英寸 SiC 衬底价格 3000 美元 / 片测算，2030 年对应 SiC 衬底需求 369 万片 / 年，市场规模超 700 亿元。

（三）AR 眼镜光波导：远期增量市场

1. SiC 作为光学材料的核心优势

• 高折射率（2.6-2.8）：可实现 70 度以上大视场角

• 超高硬度（莫氏 9.5）：耐磨抗冲击，无需额外保护玻璃

• 高热导率：解决 AR 眼镜散热问题

• Meta Orion 原型机已采用 SiC 波导方案，实现当时最大 70 度视场角。

2. 市场规模测算

预计 2030 年全球 AR 眼镜出货量超 6000 万副，按每副 AR 眼镜消耗 1/4 片 8 英寸 SiC 衬底、衬底价格 4000 元 / 片测算，远期 AR 眼镜对 SiC 衬底的需求有望达到 600 亿元。

四、产业链核心受益标的分析

（一）衬底环节（业绩弹性最大）

1. 天岳先进（A+H）

1. 全球导电型 SiC 衬底市占率第一（27.6%），8 英寸产品市占率 51.3%

2. 2024 年 11 月推出全球首款 12 英寸 SiC 衬底（半绝缘型、导电型、P 型全覆盖）

3. 与英飞凌、博世签订长期供应协议，全球前十大功率半导体企业中 50% 为其客户

4. 获富士康 “永续卓越供应链奖” 和博世 “优选供应商” 称号

2. 晶盛机电

1. 国内唯一实现 SiC 设备 + 衬底全产业链布局的企业

2. 上虞 30 万片 / 年、银川 60 万片 / 年 8 英寸衬底项目推进中

3. 2025 年 9 月首条 12 英寸 SiC 衬底加工中试线通线，实现 100% 设备国产化

4. 已向产业链客户送样 12 英寸衬底验证

3. 三安光电

1. 国内唯一 SiC 全产业链垂直整合平台（衬底 – 外延 – 芯片 – 封装）

2. 与意法半导体合资的安意法重庆工厂 2025 年 2 月通线，一期产能 26 万片 / 年

3. 8 英寸衬底及外延小规模量产，12 英寸衬底已出工程样品

4. 碳化硅热沉衬底已向行业头部客户送样验证

4. 其他衬底企业

1. 天科合达：国内最早的 SiC 衬底企业，累计出货超 100 万片，天富能源为第二大股东

2. 南砂晶圆：12 英寸导电型衬底已被头部 AI 封装企业采用

3. 河北同光：展示 12 英寸导电型 SiC 晶锭

（二）设备环节（率先受益于扩产）

1. 晶升股份

1. 国内 SiC 长晶设备龙头，覆盖 6-12 英寸全尺寸

2. 已向中国台湾地区批量交付设备，市场占有率较高

3. 下游客户已向台积电送样 SiC 衬底，公司正配合开发 12 英寸长晶设备

4. 提供从粉料合成、晶体生长到衬底加工的全流程设备

2. 其他设备企业

1. 宇晶股份：6-8 英寸 SiC 切磨抛设备已批量销售

2. 华纬科技：参股公司晶裕达的 CMP 设备可用于 8-12 英寸 SiC 晶圆加工

3. 通威股份：通威微电子已实现 6-8 英寸 SiC 衬底量产

五、投资建议与风险提示

1. 投资建议

SiC 行业已迎来历史性拐点，AI 带来的新增需求远超传统车规市场，行业估值体系将重构。重点推荐衬底 + 设备双主线：

• 核心标的：天岳先进（衬底龙头，AI 应用最受益）、晶升股份（设备龙头，率先受益扩产）、晶盛机电（设备 + 衬底双布局）、三安光电（全产业链整合）。

• 受益标的：通威股份、天富能源、华纬科技、宇晶股份。

2. 风险提示

• 新技术推进不及预期：SiC 在先进封装、AR 眼镜等新应用的技术验证和量产进度可能慢于预期。

• 行业竞争加剧：大量新进入者导致产能过剩，价格战可能压缩企业利润。

• 地缘政治风险：先进封装技术可能受到出口管制影响，产业链供应链存在不确定性。

• 下游需求波动：AI 资本开支、新能源车销量不及预期可能影响 SiC 需求。