暴涨2倍!存储芯片市场彻底失控


暴涨2倍!存储芯片市场彻底失控

特朗普总统最不希望看到的就是消费者的钱包再次受到冲击。

但对于苹果公司提价背后的芯片短缺问题,政策制定者们却几乎无能为力。 

只有少数几家公司生产内存和存储芯片,而且建造新工厂需要数年时间。

三大行业巨头——三星电子、SK海力士和美光科技在内存芯片(也称DRAM)市场占据主导地位。

它们正将大部分产能用于服务快速发展的人工智能产业,从而挤压消费科技公司的生存空间。

花旗银行将美光科技目标价从840美元大幅上调至1,200美元,维持买入评级。1,200美元的新目标价对应公司2027年预期每股收益10倍估值,测算潜在总回报约17.6%。

DRAM上行周期远未结束,且涨价正从HBM向常规DRAM扩散。

2026 年DRAM均价上涨200%、全球5%供给缺口、2027 年HBM价格继续上涨——这三重判断构成了看多美光的核心背景。

将2027年EPS预测上调至 114.73 美元(较此前 +10%)。

上调的背景是:

美光年初至今已上涨约 258%,12个月累计涨幅748%。

上调目标价的同时,德意志银行也将目标价从1,000美元上调至1,500美元。美光将 6月24日发布2026财年第三季财报。

DRAM价格预测

预计2026年DRAM平均售价(ASP)全年上涨200%,主要受加速的Token增长和供给受限驱动的数据中心需求支撑。

按季看,环比涨幅为:

第二季度:上涨37%

第三季度:上涨13%

第四季度:上涨11%

数据验证方面,DRAM现货价格1月初以来已上涨52%,4月初以来上涨22%,目前现货价格较合约价格高出21%,预示合约价格应继续走高。

NAND价格预测

花旗预计2026年NAND平均售价全年上涨186%,分季度环比涨幅为45%(Q2)、17%(Q3)、6%(Q4)。

DRAM供应趋紧可能推动基于NAND的补充存储技术(如 KV 快取等)更广泛地利用,为NAND市场提供额外的需求支撑。

供需格局分析

2026年全球DRAM将出现5%的供给缺口,本轮产业上行周期有望延续至2027年,HBM产品明年价格将继续上涨。

今年涨价主要来自常规DRAM的供需失衡,而非HBM——例如美光2026年DRAM位元产能增速预计仅42%。

常规DRAM的供给刚性叠加AI数据中心需求的持续爆发,构成了涨价的核心驱动力。

获利预测与估值

花旗同步大幅上调获利预测:

花旗对2027财年EPS的预测为114.73美元,较市场共识的110.32美元高出4%,上调主因是对产品均价,尤其是HBM价格前景的乐观预期。

估值方面,给予美光2027年预期EPS的10倍估值,并指出低于最近三年17倍的峰值,反映当前elevated gross margins(异常高的毛利率)和近期关于DRAM因供给受限而在Vera Rubin中降规格(de-specing)的影响。

上调逻辑可归纳为以下四个关键点:

价格超预期是直接催化剂

上调目标价的首要依据是年初以来价格走势超市场预期。DRAM现货价格年内已上涨52%,4 月以来上涨22%,现货较合约溢价21%,这些数据为合约价继续上调提供了充分证据。

常规DRAM供需失衡是涨价主力

今年涨价主要来自常规DRAM而非HBM。这一判断具有重要含义——市场可能将本轮涨价过多归因于HBM的AI需求,而忽视了常规DRAM领域同样严重的供需失衡。美光2026年 DRAM 位元产能增速仅 42%,远不能满足需求增长。

Vera Rubin降规格,信号强化涨价预期

近期关于DRAM因供给受限而在 Vera Rubin 中降规格。Vera Rubin是下一代AI平台,在该平台因DRAM供应不足而被迫降低规格,表明DRAM短缺已从预期变为现实约束,进一步强化了对价格持续上涨的信心。

估值倍数上调反映盈利品质提升

虽将目标价从840美元上调至1200美元,但估值倍数仅从约 8 倍微调至 10 倍,仍远低于17倍的三年峰值。

这意味目标价的上调主要来自EPS预测的上调(+10%),而非估值扩张,反映美光的盈利增长是实的,而非靠市场情绪撑起来的。

若DRAM/NAND价格按预测路径演绎,美光 2027 年 EPS 达114.7美元,以当前股价(约1100美元)计算,对应2027年PE约9.6倍——远低于17倍的峰值。考虑到上行周期中盈利通常存在进一步上修空间,当前估值仍具吸引力。

1200美元目标价对应的潜在总回报约17.6%,且目标价建立在低于历史峰值的估值倍数之上,意味若市场情绪进一步升温,上行空间可能更大。

第一,股价已充分反映乐观预期。美光年初至今上涨约258%,12 个月涨幅达748%。

如此巨大的涨幅意味著大量乐观预期已被市场定价,任何不及预期的财报或指引都可能触发剧烈回调。

第二,Vera Rubin降规格是一把双刃剑。DRAM供应不足导致AI芯片降规格,固然证明供需紧张、支撑涨价逻辑,但也暗示过高的价格可能迫使下游客户调整设计方案,长期看可能抑制需求或加速替代技术(如NAND-based方案)的采用。

第三,周期高点的均值回归压力。虽看好2027年,但未对2028年做出明确预测。

历史经验表明,半导体的上行阶段结束后往往伴随剧烈的下行调整。当前常规DRAM涨价主要靠供给刚性而非需求爆发驱动,一旦主要厂商打破供给自律、大幅扩产,供需格局可能迅速逆转。

第四,行业共识高度一致的风险。

TipRanks 数据显示,31位华尔街分析师中28位给予买入评级、3位持有、0位卖出,12个月共识目标价1048.57美元。

高度一致的看多情绪通常意味边际买盘力量在减弱。