2024 年生成式 AI 全面爆发，彻底改写存储行业发展逻辑。不同于过往由手机、PC 消费电子驱动的短期周期，本轮存储上行由 AI 服务器刚性需求主导，叠加海外原厂主动控产、产能向高附加值产品倾斜，全球存储市场迎来跨越式增长。国信证券最新行业研报指出，2026 年 DRAM、NAND 市场规模将实现数倍增长，存储从算力配套升级为 AI 系统核心基础设施，同时海外厂商战略退出传统存量市场，给长江存储、长鑫存储及国内模组、主控厂商打开长期国产替代红利期。

一、供需双向共振，存储行业开启超级景气周期

1. 需求端：AI 算力催生指数级存储缺口

生成式 AI、大模型推理爆发，带动 HBM、DDR5、大容量 NAND 需求暴涨，彻底打破过去二十年存储周期性波动规律。

市场规模爆发：IDC 数据显示，2025 年全球 DRAM 营收突破 1500 亿美元，2026 年预计达 5607 亿美元，同比暴涨 272%；NAND 营收从 671 亿美元飙升至 2890 亿美元，同比增长 331%。

需求结构彻底切换：2026 年服务器 DRAM 占比突破 50%，服务器 NAND Bit 需求大涨 60%，首次超越手机成为 NAND 第一大应用市场。单台 AI 服务器 DRAM 用量是传统服务器 2 倍，英伟达 Rubin 架构单 CPU 搭配 1.5TB LPDDR5X，算力集群对 HBM 形成刚性锁货需求。

推理侧新增海量存储需求：大模型 KV Cache、向量数据库、长上下文检索催生企业级 SSD 刚需，72 颗 GPU 推理服务器 NAND 用量高达 1.152PB，QLC 高密度 SSD 加速替代传统机械硬盘。

2. 供给端：海外原厂控产，供需长期紧平衡

经历 2022-2023 年行业深度亏损后，三星、SK 海力士、美光三大海外原厂持续减产控库存，资本开支全面向 HBM、AI 企业级 SSD 等高毛利赛道倾斜：

产能结构性分流：HBM 晶圆消耗是普通 DRAM 的 2-3 倍，大厂优先将 12 英寸晶圆供给高溢价 HBM，传统 DDR4、2D NAND 产能持续收缩；

主动退出存量市场：三星关停 2D NAND 产线、铠侠计划 2029 年全面退出 2D NAND，海外厂商逐步削减 DDR4 产能，工控、车载、信创等利基市场出现供给缺口；

扩产节奏克制：2026-2028 年海外扩产聚焦先进 DRAM 与 HBM 产线，NAND 不再粗放扩产，依靠堆叠层数、QLC 技术提升单片密度，行业供给充足率长期为负，持续处于供不应求状态。

3. 价格与业绩：量价齐升，产业链全线盈利

自 2025 年三季度存储价格加速上行，2026 年一季度 DRAM、NAND 价格环比分别大涨 87%、98%。机构预测二季度后价格环比增速放缓，但 AI 长期需求 + 谨慎扩产双重支撑，存储价格将维持高位运行。

全产业链业绩持续修复：海外原厂利润率大幅回暖，台股存储厂商 2026 年月度营收同比最高突破 700%；国内长鑫存储产能释放，2026 年一季度单季归母净利润达 247.62 亿元，存储行业进入历史性高景气阶段。

二、AI 推理重构存储新范式，两大新技术破解 “内存墙”

AI 行业分为训练、推理两大场景，训练侧追求高吞吐，而推理侧核心痛点是低延迟、高并发，海量数据与有限显存之间的内存墙成为制约 AI 落地的核心瓶颈，存储技术路线迎来两大革命性变革：

1. NAND 赛道：HBF 高带宽闪存，打造 GPU 高速硬缓存

高带宽闪存 HBF 借鉴 HBM 堆叠思路，垂直堆叠 12-16 层 3D NAND，搭配 TSV 硅通孔技术，完美适配 AI 推理读多写少的业务特征：

性能优势：单堆栈容量最高 512GB，读取带宽≥1638GB/s，延迟达亚微秒级；

成本优势：单位容量成本远低于 HBM，弥补 HBM 容量不足、造价高昂短板；

应用场景：承载大模型权重、海量向量库，缓解长文本、高并发推理下显存溢出问题，与 HBM 形成分层存储体系，大幅降低智算中心硬件成本。

同时 PCIe5.0 企业级 SSD 加速渗透，QLC 闪存渗透率持续走高，全面替代传统近线机械硬盘。

2. DRAM 赛道：短期 HBM 先进封装，长期 3D DRAM 架构迭代

短期解决方案：HBM 持续迭代至 HBM4/5，出货量快速攀升，2026 年末 HBM 出货量较年初增长近 3 倍，是 AI 算力集群不可或缺的战略资源；

长期技术方向：平面 DRAM 工艺微缩逼近物理极限，行业中长期向垂直栅极、3D DRAM 三维架构演进，通过立体堆叠提升存储密度、降低功耗，从底层解决内存带宽瓶颈。

三、海外厂商战略收缩，国产存储迎来全产业链升级窗口期

海外巨头将全部产能、资本开支倾斜 AI 高端服务器存储，主动放弃 2D NAND、DDR4 等传统存量市场，国内存储产业链迎来市占率、利润、产品结构三重提升机遇。

1. 上游存储原厂：市占率持续突破，盈利加速释放

IDC 最新数据（2026 年一季度）：

NAND：长江存储全球市占率达 6.8%，较去年四季度提升 1.7pct，位列全球第六；

DRAM：长鑫存储全球市占率 7.5%，提升 1.1pct，稳居全球第四。

产能端，长鑫推进合肥、北京工厂爬坡 + 上海新基地建设；长江存储 Xtacking 架构突破 300 层，二厂、武汉三期持续扩产，国产存储芯片自给能力稳步提升。

2. 中游存储模组：规模与产品结构正向循环

国内模组厂商抓住企业级服务器、中高端手机国产化机会，实现跨越式增长：

代表企业：江波龙、佰维存储、德明利营收规模持续翻倍，江波龙营收规模已超越台湾龙头群联电子；

发展逻辑：规模增长→下游客户加速导入→切入企业级、高端手机市场→自研主控、自主封测能力提升，形成正向循环；

第三方主控同步受益：联芸科技在独立 SSD 主控市场份额达 25%，位居全球第二，随国产原厂、模组放量同步扩张。

3. 利基细分赛道：填补海外退出市场红利

三星、铠侠、美光逐步退出 2D NAND、DDR4 市场，工控、车载、网通、信创、存量服务器等长周期利基需求出现供给缺口：

SLC/MLC 2D NAND 供需极度紧张，价格持续上行；

DDR4 需求稳定，海外产能收缩带来国产替代空间；

兆易创新、普冉股份等利基存储厂商充分受益存量市场外溢红利。

四、产业链投资主线梳理

基于 AI 长期需求 + 国产替代双重逻辑，当前存储行业高景气延续，机构给出明确投资方向：

存储模组厂商：德明利、江波龙、佰维存储，深度受益企业级 SSD、手机存储国产化放量；

利基存储芯片厂商：兆易创新、普冉股份，承接海外大厂退出的 2D NAND、DDR4 存量市场；

延伸主线：独立 SSD 主控、封测配套产业链，跟随国产存储整体扩容同步增长。

五、行业核心风险提示

供给扩张超预期：若海外、国内存储产能集中释放，或造成供需反转，存储价格下行；

AI 下游需求不及预期：云厂商资本开支收缩、大模型落地速度放缓，削弱存储增量；

行业竞争加剧：国内存储企业集中扩产，细分赛道价格竞争压制盈利；

地缘供应链风险：存储设备、部分材料仍依赖海外，外部环境变化扰动产业链。

AI 大模型推理时代，存储彻底摆脱传统周期标签，成为算力集群的核心战略资源。一边是 AI 带来指数级长期需求，一边是海外厂商主动让出传统存量市场，国产存储迎来罕见的产业升级黄金十年。从上游晶圆原厂、中游模组到主控配套，整条国产存储产业链正在实现市占率与盈利的双重突破，是 2026 年半导体赛道确定性最强的主线之一。

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