图中清晰展示了2024-2031年DRAM的需求增长趋势：整体市场的年复合增长率（CAGR）达23.5%，总需求将从2024年的250Eb飙升至2031年的1097Eb，年增速维持在22%-25%的高位；其中，数据中心是核心增长引擎，其2024-2031年的CAGR高达31.0%，远超汽车（35.5%？注：汽车增速为35.5%但基数低）、移动（13.3%）、PC（10.2%）和消费电子（11.0%）等领域，主导了未来五年的DRAM需求扩张。

DRAM市场正处于其50多年历史上持续时间最长、程度最显著的供应短缺周期。自2025年一季度小幅供应过剩后，市场迅速转向短缺，需求增速长期显著高于供应，供需缺口持续扩大。供需平衡率在2026年四季度跌至-7.0%的阶段性低点，且预计到2027年底仍将维持-6.4%的高位，全程未出现向平衡回归的趋势。这种持续的供需失衡，将深刻影响行业未来的价格走势与供应链格局。

受DRAM供应短缺推动，智能手机中DRAM的成本及其在整机物料成本（BOM）中的占比将在2026年飙升至历史高位：其成本将远超以往水平，占比预计从历史最高的10%大幅跃升至最高32%，显著突破历史极值，这一成本压力将直接传导至终端市场，大概率推高智能手机的整体售价，给消费者带来更昂贵的购机成本。

DRAM价格正逼近临界点：受超大规模数据中心客户的资本开支预期已超越此前“AI热潮”情景推动，大型客户已开始锁定2028年前的长期供应协议，价格涨幅对PC、智能手机等消费级市场的需求已开始产生明显抑制，正快速接近价格承受的“临界点”，但AI相关的超大规模需求却对涨价表现出较强韧性。在不同情景预测下，DRAM价格将持续上涨，2026-2027年的供应分配将面临前所未有的挑战，当前定价水平已突破历史常态。

受长期供应短缺驱动，DRAM价格将在未来约两年内持续上涨：整体单价预计从2025年四季度的$0.60/Gb攀升至2027年三季度的$1.76/Gb，其中2026年价格同比涨幅高达173%，2027年仍将维持33%的高位增速；这一涨价趋势将推动行业营收从2025年四季度的$540亿飙升至2027年三季度的$1990亿，2026年和2027年营收同比分别增长217%和58%，同时带动营业利润率从58%持续提升至86%。细分来看，HBM与非HBM DRAM价格均呈上涨态势，其中非HBM产品前期涨幅更为显著，而HBM产品的ASP始终维持在非HBM的2倍左右，成为价格上涨的核心支撑之一。

DRAM行业资本开支（capex）正进入加速增长通道：2024年行业capex同比增长约30%，预计2025年将再增35%，且未来因HBM产能扩张、先进制程（从1cnm向0bnm演进）建厂成本飙升，capex增速将远超历史水平；图表同时显示，三星、SK海力士、美光等厂商的资本投入将持续扩大，行业资本密集度虽在2026年后有所回落，但整体capex规模预计从2026年的约700亿美元，增长至2031年的1330亿美元，远超2013-2023年的历史趋势线，行业扩产的成本压力显著加剧。

来源: TechInsight