兄弟们，英特尔联手软银旗下子公司Saimemory搞的HBM替代品，也就是基于ZAM技术的内存又有新进展了！继抛弃傲腾（Optane）之后，英特尔又又打算重返内存市场了吗？

据TechPowerUp披露,Saimemory计划在2026年6月的VLSI2026大会上首次发表关于HB3DM新型内存的技术论文,核心采用Z-Angle Memory(ZAM)技术——名字里的”Z”指的是Z轴方向的垂直堆叠。

既然都说是替代HBM的东西了，当然肯定一定是打算用在AI加速器上的，只不过，只是我们还不知道，它的带宽和容量能否把现在的HBM给替代掉，我们且稍稍看一下。

架构披露:9层堆叠 + 混合键合

据了解，第一代HB3DM采用9层结构:最底下是1层逻辑die,负责芯片内的数据调度;上面叠8层DRAM层，用于存数据。

各层之间通过hybrid bonding(混合键合)做3D集成,每层约13700个TSV用于互连。

关键参数对比HBM4

目前来看，带宽是HB3DM最强的地方。

按英特尔披露的数据,单位面积带宽约0.25 Tb/s/mm²,以171平方毫米的die面积换算,一颗10GB的模组带宽约5.3TB/s。

而HBM4每堆栈带宽约2 TB/s——HB3DM是它的两倍多。

但容量是短板。HB3DM单层1.125GB,整个模组只有10GB;HBM4单堆栈最高可做到48GB。

差距很明显。TechPowerUp的判断是,后续量产时英特尔可能会增加堆叠层数来补容量,但目前阶段HB3DM主打的就是带宽碾压HBM。

我觉得，未来值得关注的有两个问题：

第一,DRAM die是不是由英特尔来制造。英特尔深度参与这件事,大家猜测，这会不会是英特尔自家fab重返DRAM制造的契机。毕竟有之前做傲腾的底子，内存技术上搞点新东西，还是很有盼头儿的。

第二,商业化时间。Saimemory计划2028年初出原型,2029年推商用产品。这意味着HB3DM真正出货时,要直面HBM4E甚至HBM5的竞争窗口,能不能赶上AI的这波滚滚红尘就非常关键。

ZAM这条路线不是简单跟HBM拼参数,而是想用结构创新换带宽密度——立起来叠、用hybrid bonding替代传统TSV互连方案，你觉得这东西能挑战现在的HBM吗？