三星、铠侠退出2D NAND市场,价格飙涨300%

随着全球存储半导体行业全力投入高带宽内存（HBM）和先进3D NAND闪存的生产，传统产品（例如2D NAND闪存）的供应基础正在崩溃。三星电子和铠侠相继关闭了盈利能力不佳的老旧生产线，甚至美光也宣布退出消费市场——通用产品的重要渠道——汽车电子和工业设备等需要长期稳定性的市场供需失衡的局面日益加剧。

据半导体行业5月12日消息，三星电子据称已于去年3月开始逐步停止其华城工厂12号线的2D NAND生产，并启动了将该工厂改造为生产先进1c DRAM的“末端工厂”的进程。随着三星最后一座2D NAND工厂的关闭（该工厂月产能为8万至10万片晶圆），三星的2D NAND时代在经历了24年后宣告结束。三星的2D NAND时代始于2002年，当时三星率先实现了全球首款1Gb芯片的量产。尤其值得注意的是，三星电子的这一举措恰逢其停产此前占据市场主导地位的MLC（多层单元）NAND产品。三星已通知客户MLC NAND产品生命周期结束（EOL），预计将在今年6月完成最后一批产品的出货后彻底停止供应。MLC每个单元存储2位数据；虽然其容量小于3位（TLC）或4位（QLC）闪存，但它具有更优异的数据保持性和耐用性。因此，在医疗器械和工业机器人等需要10年以上无故障运行的市场中，MLC一直扮演着“安全网”的角色。然而，由于盈利能力低下，它现在正面临淘汰。

铠侠（Kioxia）也已正式宣布逐步淘汰传统产品。去年3月，铠侠通知客户，计划分阶段停止生产2D NAND和第三代BiCS闪存产品。该计划将于今年9月底前接受最终订单，于2028年12月前完成最终出货，并于2029年开始彻底退出市场。由于该公司已停止生产其老旧的TSOP封装产品线，预计低容量NAND的供应将更加紧张。

美光（Micron）加剧了供应短缺，该公司仅维持MLC NAND的生产以满足现有客户需求，同时宣布停止生产其消费品牌Crucial。这不仅仅是简单的品牌剥离；这是一个战略决策，旨在将传统工艺晶圆的生产完全转向用于人工智能数据中心的高科技存储器。因此，市场上供应的低容量通用型NAND闪存数量正在迅速减少，加剧了供应断崖式下跌的局面。

问题在于，主要厂商退出市场的速度超过了技术转型的速度。市场研究公司TrendForce预测，今年全球MLC NAND闪存产能将比上年下降41.7%。特别是像三星电子和美光这样的公司，在出售其过时的设备的同时，拒绝授权其核心MLC制造技术，这使得新进入者更难进入市场。近期，部分SLC和MLC产品的价格在一个月内上涨了两位数以上，64Gb MLC的现货价格已达到20-28美元，与去年年底的6美元相比飙升了高达300%，这表明“恐慌性抢购”现象已达到顶峰。

一位半导体行业人士表示：“资源集中于人工智能高附加值存储器正在削弱作为实体经济基础的传统存储器市场。”他还补充道：“国内家电和汽车制造商的成本负担和供应链风险将持续加剧，直至明年。”