缺货!涨价!光芯片/设备市场深度调研

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缺货!涨价!光芯片/设备市场深度调研

光芯片市场供需极度失衡,

缺货与涨价进入白热化

2026 年 3 月,AI 算力需求爆发式增长,全球光芯片市场陷入史上最严重的供需失衡,高端EML芯片成为 AI 产业链最核心的 “卡脖子” 环节。海外头部厂商产能被全额锁定、交期大幅拉长、现货绝迹,价格全线跳涨,采购规则彻底重构,行业进入卖方绝对主导的超级周期。

一、交期:排单至 2027 年底,现货彻底断供,扩产遥遥无期

1. 头部产能全锁定,订单排期超 18 个月

Lumentum、Coherent、博通等海外 EML 芯片龙头,2026 年全年产能已被 100% 预订,新增订单直接排至2027 年底,部分高端定制型号甚至延伸至 2028 年。英伟达、云厂商等头部客户通过巨额长协与预付款,提前锁定未来两年核心产能,中小厂商基本无货可拿。

2. 高速光芯片交期翻倍,断供风险加剧

800G/1.6T 光模块核心 EML 芯片,常规交期从12 周大幅拉长至18–20 周,部分紧缺型号交付周期超6 个月,面临实质性断供风险。中小光模块厂商只能等待大厂余量释放,或接受30%–50% 溢价的二手转售货源。

3. 设备与扩产瓶颈:2 年以上周期,短期无解

光芯片制造核心设备EBL 光刻机,当前货期已超18 个月,到货后还需6 个月工艺调试才能稳定量产。从设备采购、产线建设到良率爬坡,完整扩产周期至少2 年以上,2026–2027 年新增产能极为有限,供需缺口短期难以缓解。

二、价格:全线跳涨,买方议价权完全丧失

1. EML 芯片:100G/200G 价格大幅上修,现货溢价超 50%

  • 100G EML
    :单价从 2025 年的5 美元飙升至7–8 美元,涨幅40%+长协价同步上调10%–20%

  • 200G EML
    :长协价10–12 美元(+15%–20%),现货价已达12–15 美元,紧急订单溢价50%+,部分高端型号单价突破20 美元

2.光引擎/ TOSA:价格环比上涨,海外产能满负荷

光引擎、TOSA 等组件价格环比上涨 5%–12%,海外供应商产能利用率95%+,接近满产状态,价格仍有上行空间。

3. 采购规则重构:先锁产能、再谈价格、不锁即无货

行业采购逻辑彻底转向卖方市场先锁定产能→再协商价格→不锁单就彻底没货。头部客户为保障供应,普遍采用预付全款、签订 2 年以上长协的方式锁定产能,价格谈判空间几乎为零。

三、核心矛盾:AI 算力驱动需求爆发,供给刚性缺口难补

1. 需求端:800G/1.6T 光模块放量,EML 需求激增

2026 年全球 800G 光模块需求突破5000 万只,1.6T 进入商业化元年、需求超3000 万只,直接拉动 200G/400G EML 芯片需求爆发。全球 EML 总需求达3.5–4.5 亿颗,而有效供给仅2–3 亿颗,整体缺口25%–30%,200G EML 缺口更高达35%–70%

2. 供给端:海外垄断 + 扩产缓慢,国产替代尚处初期

全球高端 EML 产能 85%–90% 集中于Lumentum、Coherent、博通、三菱等海外厂商,技术与产能壁垒极高。国内厂商虽加速突破,但 100G/200G EML 量产与海外认证仍需时间,短期难以填补缺口。

四、光芯片进入超级卖方周期,紧缺至少持续至 2027 年底

2026 年 3 月光芯片市场呈现交期最长、价格最高、供需最紧的极端状态:海外头部产能锁定至 2027 年底,800G/1.6T 芯片交期翻倍、现货绝迹,EML 价格全线大涨、买方议价权丧失。核心矛盾在于AI 算力需求爆发与供给刚性、扩产周期极长的冲突,短缺态势至少持续至2027 年底

对产业链而言,拥有稳定 EML 芯片供应能力的厂商将享受量价齐升红利,而依赖外购的中小光模块企业将面临成本上行与交付压力,行业集中度加速提升。

今天再重点梳理一下光通信设备环节

关于设备这块,我们也会大致梳理一下各个环节的价值量。先简单说一下总体结论:光模块设备的工艺环节相对较短,主要包括五个环节:切片、键合、光耦合、自动化组装、老化测试。

其中,切片、光耦合以及老化测试这三个环节,属于光模块专用的专有设备。整体上,这五个环节的价值量占比大概分别在16%、5%、25%、13%和41%。也就是说,最重要的三个环节——切片、耦合和老化测试占比分别达到16%、25%和41%。

过去几年,光模块设备整体的市场规模不大,大概在60亿左右。这主要是因为过去的生产还是以小批量、多批次为主,产线切换相对灵活,依赖人工。

这几年开始上量,主要还是因为出货量快速提升、需要上产能,在海外建厂又没有那么多熟练工,所以需要大量上自动化产线。

以一条年产能10万只(以800G为例)的产线来算,投资大概在5000到6000万。如果是1.6T的,价格可能上浮20%左右;如果是400G的,价格可能下浮20%左右。如果是100万只的产线,投资就在5到6个亿。

首先是贴片环节(16%)。贴片主要有两种工艺或技术:一种是共晶,一种是固晶。这两种技术不是二选一,而是同时都需要,只不过应用的场景不太一样。一般一条产线里两种设备都需要,因为需要贴片的地方也比较多。

共晶技术,简单来说其实就是利用金锡合金这种材料,在高温加压的情况下形成液相,在恒温下可以同时生成两种或多种物相。这两种物相可以实现更牢固的结合。但缺点是工艺相对复杂,对温度、压力等控制要求都比较高。所以它一般用在像激光器、功率器件等散热要求高、可靠性要求也高的封装场景里。

固晶技术用的是导电银胶,把芯片和基板粘在一起。它的应用范围比较广,像电芯片、PD(光电二极管)等很多常规场景都会用到这种固定技术。

共晶因为工艺更复杂,价格相对贵一点,大概500到600万固晶大概在400到500万。在一条6000万的产线里,这两个加起来占比大概15%。

一般来说,能做共晶设备的公司,也有能力做固晶国内像罗博特科、科瑞技术、猎奇智能、凯格精机、智立方都有相关设备。

第二个环节是引线键合(5%)。

引线键合其实比较简单,就是用金属引线把芯片的压焊位连接到PCB的焊接焊盘上。原理简单,价格方面,一条10万只的产线大概需要4台套设备,单价一台可能在七八十万,总价大概300万左右。在整个一条线里价值占比约5%。

因为这个环节不属于光模块产线特有的环节,很多半导体生产都需要,所以很多设备公司都可以供货,国内外价差也不明显,参与的厂商相对较多,这里不单独列出。

第三个环节是光学耦合(25%)。

为什么需要这个环节?正常来说,电子可以沿着金属导体稳定传输,但光子在空气中会发生散射、折射、反射等。所以需要校准、聚焦,才能达到光的精确对准。

具体来说,耦合就是光的精确对准,即如何做到微米级别的精准对接。

激光光源如何跟激光芯片精准耦合?现在大部分都是有源的,所以通过打光来调整耦合透镜的位置和角度。一般来说,耦合设备有六个自由度,要从每个自由度找到最强的耦合光功率,然后通过点胶固定住。

目前来看,耦合机的耦合速率相对较慢,因为需要从各个角度不断调整位置。一条产线大概需要8台以上的设备,每台设备大概150到250万(国产150-200万,海外200-250万)。虽然单价没有贴片设备高,但需求台套数高于贴片,所以总体价值量在1600万左右,能占到整条线的25%,占到四分之一

全球精度最高的就是罗博特科收购的ficonTEC。目前高端1.6T的耦合精度基本可以达到0.8微米左右,可能比贴片的精度还要高。ficonTEC大规模生产已经可以做到接近0.3微米的水平,完全可以满足要求。

但相对来说,耦合设备也比较贵。从国内来看,目前有供货的公司主要是镭神技术(客户包括新易盛等)和猎奇智能(客户包括中际旭创等)。

除了这几家,有些公司也在布局耦合设备,包括国内上市公司里的博众精工、科瑞技术、凯格精机,博众精工是刚刚收购了中南恒司,通过中南恒司布局耦合机。

第四个环节是自动化组装(13%)。

这里一般说的光模块自动化组装设指的是后道(即耦合之后)的环节。具体包括点胶、AOI检测、自动打螺丝等环节,像封装、焊接等也属于自动化组装工序。有些厂商可以完成全部或部分工艺,可以根据需求定制开发。

这里面做得比较好的就是罗博特科、智立方、凯格精机、科瑞技术,可以做整个自动化组装线。一般来说,整个自动化组装线,以800G为例,一条线大概800万人民币;如果是1.6T光模块,一条线大概1000到1200万左右。所以整体上一条线可能在800到1000万的水平。

这里还要强调一点,自动化组装也涉及到AOI检测等。AOI检测主要是指壳体表面划伤、胶水溢出、焊接质量等,这区别于后面会说的老化测试环节。老化测试主要测电性能或光信号,是两个概念。

所以,在做AOI检测设备的公司,比如奥特维、快克智能,我们也归类到自动化组装设备里面,它属于自动化组装的一个环节。

总结就是,罗博特科、凯格精机、科瑞技术、智立方这些都有在做整个自动化组装设备,奥特维、快克智能目前有在做AOI设备。

第五个环节是老化测试(41%),

这也是整个产线里价值量占比最高的环节,包括老化和测试两部分。从测试的层级看,包括了芯片级别(光芯片级别)的测试,也包括光模块级别的测试。

具体来说,老化系统是指芯片贴装好后,放到老化炉里供电加温,大概需要12小时左右,一个炉里能放几百个芯片,效率比较高,一台老化系统的价格大概150到200万,一条线只需要一台,因为效率高。

测试又包括三个大环节(这里以芯片级别测试为例):电性能测试、通信信号测试、光信号测试。电性能测试具体包括源表、低漏电开关等设备;通信信号测试可能用到示波器、时钟恢复单元、误码分析仪等;光信号测试会用到波长计、光功率计等。

目前有布局的公司:海外公司主要是是德科技、泰克科技、日本的安立以及加拿大的EXFO这四家。

国内公司主要包括联讯仪器(已申报IPO)、华盛昌(计划现金收购深圳伽兰特)、武汉普赛斯(非上市公司,聚焦电性能测试,也在布局高速通信信号测试)。

除此之外,还有普源精电(原做科学仪器,目前也有做光模块测试设备)、优利德(计划收购星测通信51%股权,产品包括OTDR、光功率计和光纤传感器等)。光功率计属于光信号测试中的一类。

整个老化测试环节,包括了芯片级和光模块级测试两个层级。我刚才提到的都是芯片级别的测试,涉及老化和测试,光模块级别也一样。仅以芯片环节看,一条线大概需要700万元左右的设备。

光模块级别大概需要1200万左右。所以整个老化测试在一条6000万投资的产线里,能占到约2600万,接近40%。

未来随着光模块技术迭代,我们认为整体上测试环节的价值量受影响可能最小。因为后面可能涉及直接封装,对键合等环节的需求可能会变小,因为ASIC芯片和光模块会更加集成。相比之下整条产线的贴片、耦合也需要升级,因为精度更高、良率需要提升。测试环节也是需要升级的,因为不同速率的光模块,其老化测试设备完全不同。相比之下,测试环节的需求受影响最小。

4月确定的投资机会!光模块设备核心公司在文章里也给了预期空间,有兴趣可以看看。

再说说光模块的具体技术细节。

大致范围是:低速、中速、超高速的光模块。

25和40G以下的算是低速,主要用于传输以太网和接入网

25、40和100G的用于中高速光模块用于5G传输、数据中心内部互联等。

400和800G的可能就开始用于AIDC(人工智能数据中心),也是支撑现有算力需求的主力。

未来的趋势是,从今年开始1.6T的也会逐渐放量,未来还有3.2T

光模块整体的成本构成,大概70%都是光器件剩下的百分之二三十是电子器件和电路板

光器件里面最主要的两个部分,一个是ROSA和TOSA,即光接收器件和光发射器件,这两部分占到了整个光器件成本的80%。大概构成是这样。

然后从市场规模来看,光模块(注意,是光模块整体,不是设备)的规模,根据目前的统计,2025年全球规模大概在235亿美元,约合1600多亿人民币的市场。预计到2029年,大概会达到接近3000亿的市场,可能再翻一倍

如果按下游来分,过去几年光模块的下游厂商可能主要以电信市场为主。现在数通市场的占比逐渐上升,从2024年开始,数通市场的占比已经超过了电信市场,即以数据中心、通信等为下游。

光模块的几个技术发展趋势,因为随着光模块数据传输速率的提升,会带来插入损耗的问题

比如说,当速率从56Gbps提升到112Gbps时,即使在相同长度下,同一时间内的插入损耗也会提升一倍。随着传输速率的提升,一般来说,电气通道的长度越短,或者中间的转换环节、连接器件越少,损耗就越少,信号的完整性也就越好。

所以就产生了两个发展趋势:

一个是我们说的光学CPU(CPO)

另一个是线性驱动光学LPO(线性驱动可插拔光模块)。

这里的线性驱动可插拔光模块(LPO),简单描述,其实就是用线性驱动技术来替代原来的传统数字信号处理(DSP)或时钟数据恢复(CDR)芯片。

拿掉DSP之后,整个系统的误码率虽然会有一定提升,但它的通讯距离整体上是明显缩短的。因为整个光模块里50%的功耗都来自于DSP,但缺点就是误码率有一定提升。这种场景主要适用于一些短距离的应用场景,比如机柜交换机的连接。这种技术路线可以视为是CPO的一个过渡方案。

然后第二个就是CPO,这是我们追求的比较理想的方案。简单来说,其实就是一种全新的超小型、高密度光模块技术,把交换芯片和光芯片共同封装在一块PCB板上面。

具体的CPO里面又分为几种方案,比如A、B、C三种方案。随着各个方案的技术迭代,ASIC芯片和光模块两者之间的距离是逐渐缩短的。比如在A方案里面,距离大概可能在10厘米,然后逐渐缩小到几厘米。到了C型的封装方案里,它们是完全集成在一个大的封装里面。还有就是硅光技术。

 
chengsenw
  • 本文由 chengsenw 发表于 2026年4月10日 02:43:32
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