HBM芯片还没热乎!市场开始炒作新的HBF存储芯片了……

如今，存储芯片涨得最厉害的就是非常稀缺的HBM内存芯片，因为它的稀缺性太强了，技术难度也大。

这次涨价的可能是新的存储芯片，因为存储芯片厂已经开始布局新的HBF芯片了。据透露，闪迪已开始与材料、组件和设备合作伙伴接洽，以构建HBF原型生产线的生态系统。

该公司计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为其生产基地的热门候选地。业内人士透露：“闪迪正在与企业探讨合作，目标是在下半年引入HBF关键设备。”其估计，试点生产线将于下半年建成，并在年底前后投入运营，目标是在2027年实现商业化。

随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将提前约六个月完成此前公布的HBF开发路线图。根据闪迪去年公布的HBF开发路线图，该公司原计划于今年下半年开始供应HBF样品，并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。

HBF是高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩认为，HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。

据介绍，HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存） 是由闪迪（SanDisk）与SK海力士联合提出的新型存储架构，专为AI推理应用设计，旨在解决AI时代内存墙问题，融合了3D NAND闪存的容量优势和HBM的高速性能。

借鉴HBM的3D堆叠架构，但用NAND闪存替代DRAM作为核心介质，采用硅通孔（TSV）或CMOS键合阵列（CBA）技术垂直堆叠多层3D NAND芯片，搭配专用逻辑控制芯片实现并行访问。

它由16个垂直堆叠的核心芯片、逻辑芯片、中介层、封装基板、PHY接口芯片计算单元构成，采用芯片到晶圆键合技术构建密集互连存储结构。对比HBM，HBF的速度约为HBM的80%-90%，容量却是其8-16倍，功耗降低40%，能以更低成本实现处理量扩展，被视为缓解HBM瓶颈的“中层内存”。

所以专家们认为，未来在AI以及数据中心中，HBM和HBF会组合在一起，甚至HBF的作用可能会更大，因为它容量大。

据悉，单颗HBF堆栈容量可达512GB，8个HBF堆栈可实现4TB容量，是同成本下HBM容量的8-16倍。目标带宽在1.6TB/s至3.2TB/s之间，能匹配HBM的带宽水平37

HBF产品的优势非常多，它未来可以与HBM芯片实现共存。单位容量成本约为HBM的七分之一，依托成熟的NAND产业链，成本与HBM相近时可提供8-16倍容量提升37
功耗优势：基于NAND闪存特性，无需刷新电流即可长期保持数据，降低功耗并提升可靠性。单GPU搭载4TB存储，可直接加载GPT-4等大型AI模型，减少数据迁移延迟5

完美适配大模型参数存储，适用于AI大模型运行在GPU硬件上，也适用于手机端大模型本地化、自动驾驶、AI玩具、IoT等边缘设备的低功耗、高容量需求。

HBF并非HBM的替代品，而是形成互补的分层存储架构：HBM处理高速、实时的热数据，而HBF存储大量温冷数据（如AI模型参数、历史数据），为HBM提供"弹药库"，可理解为HBM的容量补位者。

2026年2月在OCP框架下启动全球标准制定，预计2026年下半年实现样品级产品交付，首批基于HBF驱动的产品有望于2027年初采用。

分析师预测，到2030年HBF市场规模约为120亿美元，有望在2028年超过HBM7
HBF技术凭借其大容量、高带宽、低成本和低功耗等优势，将成为AI推理的存储新贵，推动以存储为中心的人工智能新范式发展。

2025年2月，闪迪首次提出HBF概念，并将其定位为结合3D NAND容量和HBM带宽的创新产品。而在近期，闪迪与SK海力士联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的HBF全球标准化战略。

东方证券判断，通过积极推动HBF标准化，SK海力士等头部存储厂商有望打造面向AI时代的领先储存架构。HBF采用NAND Flash闪存进行堆栈，若未来HBF得到广泛应用，有望为NAND市场增长进一步打开空间。

业内人士分析称，闪迪加速开发HBF与其作为NAND闪存制造商的身份密切相关，由于该公司目前产品组合中没有基于DRAM的HBM，因此正全力以赴开拓这一新兴市场。

未来，内存式芯片需求和闪存式芯片需求都很大，它们的市场机会都很多。它们在AI需求带动下，共同组成了强大而前景广阔的存储市场。