美光:DRAM市场将紧俏至2027年
外资报告表示，存储器大厂美光（Micron）董事长兼执行长 Sanjay Mehrotra 等高层于日前投资人会议中，揭示了由人工智能（AI）驱动的可持续性内存需求，并看好产业的长期发展与耐久性。 尽管市场近期对DRAM现货价格下跌及部分过量出货传闻抱持疑虑，但美光认为这些因素影响有限，并乐观预期到2027年每股盈余（EPS）将上看至少100美元。
会议中指出，DRAM供需环境将一路紧俏至2027年，主因在于半导体设备造成的产能不足。 美光预期首批新建晶圆厂的产能最快于2027年底出货，预估至2028年才会对市场供给产生实质影响，并可能迎来供需平衡。
此外，高带宽记忆体（HBM）仍是产业创新与差异化的核心驱动力。 美光已在2025年第三季达成HBM位市占率追平其整体DRAM市占的目标，并看好未来HBM4E与HBM5导入客制化逻辑基础芯片后，将进一步推升价格、成本与利润率。 由于过渡至HBM4/5时，消耗产能的比重可能高达4比1，这将使整体供需失衡的状况更加剧烈。
为了应对结构性改变，AI 与数据中心的发展已使存储器成为战略重要资产。 美光近期启动了「策略性客户协议」（SCA），目前已签署一份为期五年的长期合约，以确保资本支出的适当资本回报率（ROIC），展现出与以往周期不同的营运耐久性。
在财务指标与扩产规划上，美光单季的毛利率财测高达81%，管理层更将目标放眼至80%区间中段。 为支持HBM及先进制程DRAM的制造，美光大幅上修资本支出，预估2026财年将达250亿美元，2027财年更预期突破370亿美元，并计划让所有产线皆具备EUV设备能力。
针对中东等地的地缘政治风险，美光强调其产能布局分散，且作为美国供应商，对比日韩竞争者具有高度的战略竞争优势。 在资本回报方面，受限于美国《芯片法案》（CHIPS Act）的五年期资金协议，美光在协议前两年设有回购上限，目前将优先部署资本偿还债务并增加股息。 不过，美光预期自2026年12月9日限制解除后，将启动非常积极的股票回购计划。 整体而言，美光凭借领先制程、HBM比重上升以及长期的客户绑定策略，持续迎来多年上行循环，基本面强劲且稳居投资人首选。
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